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MOS(場效應管)/IRLML6402TRPBF 編帶
商品型號:IRLML6402TRPBF PDF數據手冊)

起售量(pcs)價格
5~49片¥0.863/片 (折合1盤2589元)
50~149片¥0.587/片 (折合1盤1761元)
150~499片¥0.536/片 (折合1盤1608元)
500~2499片¥0.49/片 (折合1盤1470元)
2500~4999片¥0.46/片 (折合1盤1380元)
5000 片以上¥0.443/片 (折合1盤1329元)
已售出: 4842片 (1盤有3000片) 貨期:2-4天
數量:
X 0 = 0.0 庫存數量:49941 片(可訂貨)

  • 商品名稱:IRLML6402TRPBF 編帶
  • 商品品牌:IR
  • 商品類別:MOS(場效應管)
  • 二級分類:MOS(場效應管)
  • 商品型號:

    IRLML6402TRPBF

  • 封裝規格:SOT-23(SOT-23-3)
  • 商品編號:B1000944
  • 商品重量:0.000100kg
IRLML6402TRPBF中文資料
<a href = "/items/irlml6402trpbf-cn-1-id-1389.html">IRLML6402TRPBF</a>中文資料第1頁精選內容:參數典型.最大.單位 RθJA最大結到環境 ? 75 100 °C / W IRLML6402 HEXFET? 功率MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER的這些P溝道MOSFET使用先進的處理技術,以實現極低的ON-每個硅面積的電阻.這個好處,加上快速 開關速度和堅固耐用的HEXFET?器件設計功率MOSFET是眾所周知的,為設計者提供了一個非常有效和可靠的設備用于電池和負載管理.已經加入了散熱增強的大型焊盤引線框架進入標準的SOT-23封裝以生產HEXFET電源 MOSFET具有業界最小的尺寸.這個包,被稱為MICRO3 ?,是印刷應用的理想選擇電路板空間非常重要.低調(&AMP;LT;1.1毫米)的MICRO3允許它輕松地適合極其薄的應用諸如便攜式電子設備和PCMCIA卡等環境.熱阻和功耗是最好的可用.熱阻 V DSS = -20V R DS(ON) =0.065Ω L 超低導通電阻 L P溝道MOSFET L SOT-23封裝 L 低調(&AMP;LT;1.1MM) L 提供卷帶式 L 快速切換描述 04年8月11日 WWW.IRF.COM 1小號 D G PD - 93755C參數最大.單位 V DS漏源電壓 -20 V I D @ T A = 25°C 連續漏極電流,V GS @ -4.5V -3.7 I D @ T A = 70°C 連續漏極電流,V GS @ -4.5V -2.2一個 我是 DM脈沖漏電流 -22 P D @T A = 25°C功耗 1.3 P D @T A = 70°C功耗 0.8線性降額因子 0.01廁所 E AS單脈沖雪崩能量 “ 11兆焦耳 V GS柵源電壓 ±12 V T J, T STG結溫和存儲溫度范圍 -55到+ 150 C絕對最大額定值 W ^ MICRO3 ?
IRLML6402TRPBF關聯型號
機譯版中文資料(1/8) 英文原版數據手冊(1/8)

*IRLML6402TRPBF中文資料的內容均為機器翻譯結果,僅供參考

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